2024年2月5日，由《半导体学报》组织评选的2023年度（第四届）中国半导体十大研究进展揭晓。中心研究成果“接近衬底级晶体质量的氮化物宽禁带半导体异质外延薄膜”榜上有名；“可重构相干纳米激光阵列”获提名奖。
中心沈波教授与物理学院许福军副教授团队针对大失配异质外延导致氮化物宽禁带半导体高缺陷密度的难题，创新发展了一种基于纳米图形化AlN/蓝宝石模板的“可控离散和可控聚合”侧向外延方法，使蓝宝石衬底上AlN外延薄膜位错腐蚀坑密度大幅降低了两个量级，至~104cm-2，实现了接近衬底级晶体质量的AlN外延薄膜，并应用于相关器件研制。2023年6月22日，相关研究成果以“接近衬底级晶体质量的氮化物宽禁带半导体异质外延薄膜”（Group-III nitride heteroepitaxial films approaching bulk-class quality）为题，在线发表于《自然·材料》；物理学院博士后王嘉铭和2019届博士研究生解楠为该论文共同第一作者，许福军和沈波为共同通讯作者。
中心马仁敏教授课题组利用莫尔超晶格中平带局域波函数可重构的特性，实现了莫尔相干纳米激光阵列，突破了纳米激光仅能实现单个或固定阵列相干激射的限制，展示了纳米激光能够以“P”“K”“U”和“中”“国”等图形生成可重构的阵列化相干激射。2023年12月13日，相关研究成果以“相位同步可重构莫尔纳米激光阵列”（Reconfigurable moiré nanolaser arrays with phase synchronization）为题，在线发表于《自然》（Nature）。物理学院2020级博士研究生栾弘义、欧阳云浩、赵紫薇为共同第一作者，马仁敏为通讯作者。
《半导体学报》于2020年首次启动中国半导体十大研究进展评选活动，旨在遴选、记录我国在半导体基础研究领域的年度标志性成果。2023年，共有54项成果获得第四届候选推荐资格。2024年1月底，由243位半导体领域专家组成的评选委员会经过严格评审，评选出10项优秀成果荣膺2023年度中国半导体十大研究进展；10项优秀成果荣获2023年度中国半导体十大研究进展提名奖。
此前，中心研究成果“用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列”，“通讯波段的高性能钠基等离激元纳米激光器”，“米级高指数晶面单晶铜箔库制造”和“拓扑保护的单向导模共振态观测”入选2020年度中国半导体十大研究进展。中心研究成果“二维半导体单晶晶圆的可控制备”入选2021年度中国半导体十大研究进展。
